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8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash
A Microchip Technology Company
SST39WF800B
Data Sheet
Power-Up Specifications
All functionalities and DC specifications are specified for a V DD ramp rate faster than 1V per 100 ms
(0V to 1.8V in less than 180 ms). In addition, a V DD ramp rate slower than 1V per 20 μs is recom-
mended. See Table 10 and Figure 4 for more information.
Table 10: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
Parameter
V DD Min to Read Operation
Minimum
100
Units
μs
T PU-WRITE
1
V DD Min to Write Operation
100
μs
T10.0 25031
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
T PU-READ
V DD
V DD min
0V
CE#
1344 F37.1
Figure 4: Power-Up Reset Diagram
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
14
DS25031A
08/11
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